2024岁首 ，消息m项英特尔宣布与联华电子（UMC）创建计策合作火伴相干，称英单方将合作斥地12nm工艺平台  ，联电以应对挪动
、或合通信根本行动办法和群集等高添加市场的作斥需求。该项目将在2026年会完成相干的消息m项工艺斥地和验证工作 ，估计2027年投产。称英不过联华电子似乎不知足于此，联电旧年传出其思虑扩除夜与英特尔之间的或合合作，大年夜大年夜约选择在原有12nm工艺根本上添加6nm工艺
。作斥

据Wccftech报导 ，消息m项英特尔大年夜大年夜约已与联华电子展开新的称英合作，斥地进步先辈建造技能 
。联电不过此次传出的或合并不是旧年的6nm工艺，而是作斥愈加进步先辈的3nm工艺。联华电子居心进进前沿半导体建造局限 
，估计相干花费工作将在英特尔位于美国亚利桑那州Octillo园区的晶圆厂举办 ，可独霸现有设备降低后期投资并优化独霸率 ，阻拦了投进除夜量资金采办新设备。

英特尔选择与联华电子合作，一方面是基于本身在美国的除夜局限建造身手和FinFET晶体管筹划经验，此外一方面是正视对方在成熟制程节点上丰富的晶圆代工经验连络在一同，比如为客户供给工艺筹划套件（PDK），以完成扩大年夜大年夜大年夜大年夜的工艺组合。同时英特尔希看借助联华电子的辅佐，汲引竞争力 ，以便在全球代工市场中占据更除夜的份额，以加快追逐领头羊台积电（TSMC） 。

屈就2026年第一季度全球晶圆代工的统计数据 ，联华电子以3.9%的市场份额排在第四，仅次于中芯国际（SIMC）的5.1%。联华电子在2017年宣布介入10nm及以下进步先辈制程节点的斥地，仅勾留在14nm制程节点。可是跟着成熟制程节点的竞争加重
，加上人工智能时代对采取进步先辈工艺的芯片需求添加 ，联华电子希正视新介入进步先辈工艺的竞争。